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| テーマ： |
「スピンエレクトロニクス材料の新展開」
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| 日 時： |
平成23年8月22日（月）13:00 - 17:00 |
| 場 所： |
中央大学駿河台記念館 680号室
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| オーガナイザー： |
斉藤好昭（東芝），大嶋則和（NEC），大森広之（ソニー），早川純（日立） |
| 問い合わせ先： |
斉藤（東芝）yoshiaki.saito＜at＞toshiba.co.jp
（＜at＞を@にして送信下さい）
TEL: 044-549-2075
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| プログラム： |
| 13:00-13:45 |
CoFeB/MgO垂直磁化トンネル磁気接合の開発
三浦勝哉1,2,3、池田正二1,2、山ノ内路彦1、佐藤英夫1、山本浩之3、甘華東1、水沼広太朗2、小泉遼平2、早川純3、松倉文礼1,2、大野英男1,2（1東北大CSIS、2東北大RIEC、3日立中研） |
| 13:45-14:30 |
垂直磁化細線における電流誘起磁壁移動
深見俊輔1、大野英男1,2 （1東北大学 CSIS、2東北大学 RIEC） |
| 14:30-15:15 |
MgAl2O4スピネル型バリアを用いた格子整合強磁性トンネル接合の開発
介川裕章（（独）物質・材料研究機構） |
| 15:15-15:30 |
休憩
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| 15:15-16:15 |
金属・半金属中間層を用いた接合におけるCPP-GMR効果
窪田崇秀1、佐藤丈2、大平祐介2、大兼幹彦2、水上成美1、永沼博2、宮崎照宣1、安藤康夫2（1東北大学原子分子材料科学高等研究機構（WPI）、2東北大学大学院工学研究科） |
| 16:15-17:00 |
CoFeおよびホイスラー合金Co2MnSiを用いたGaAsへのスピン注入
植村 哲也，秋保 貴史，原田 雅亘，松田 健一，山本 眞史 （北海道大学） |
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