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第30回「スピンエレクトロニクス専門研究会」
テーマ: 「スピントロニクスデバイスを支えるプラズマ技術」

日 時: 2010年7月9日 (金) 13:00-15:30
場 所: 化学会館 501A会議室
東京都千代田区神田駿河台1-5 (JR御茶ノ水駅徒歩3分)
http://www.chemistry.or.jp/kaimu/office/map.html
オーガナイザー: 大森広之(SONY)、早川純(日立)、大嶋則和(ルネサス)
問い合わせ先: 日本磁気学会(03-5281-0106)
プログラム:
座長 早川純(日立)
13:00−13:30 酸化物RFスパッタにおける高エネルギー酸素負イオンの空間分布計測
石島達夫1、後藤和也1、小野一修2、森田 正2、大嶋則和3、木下啓藏3、豊田浩孝1(1 名古屋大学、2 ULVAC、3 NEC)
13:30-14:00 質量分離イオンビームを用いた反応性イオンによる磁性体膜エッチング反応の評価
唐橋一浩 伊藤智子 浜口智志 (大阪大)
14:00-14:30 休憩
座長 大嶋則和(ルネサス)
14:30-15:00 CH3OHプラズマを用いたMRAMドライエッチング加工
小平 吉三、エルヌ・フランク(キヤノンアネルバ)
15:00-15:30 高密度プラズマCVDを用いたMRAM保護膜の作製 (仮題)
河野雄一 (三菱重工)