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| テーマ： |
「酸化物材料を用いたスピンエレクトロニクスの展開」
MRAM開発やスピン流関連現象など、近年のスピンエレクトロニクス分野の発展には目
を見張るものがあります。特に、2004年の単結晶MgOトンネルバリアの実現は大きな
ブレイクスルーとなりました。このような新しい材料の発見は、新現象の発見や特性
の大きなジャンプアップにつながります。そこで、次なる新材料・新現象の発見を期
待して、酸化物材料とスピンエレクトロニクスに関する専門研究会を企画しました。
多くの皆様のご参加をお待ちしております。 |
| 日 時： |
平成22年1月12日13:00〜17:00 |
| 場 所： |
中央大学駿河台記念館320号室（東京都千代田区神田駿河台3-11）
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| 会 費： |
無料 |
| 世話人： |
大嶋則和（NEC）白石誠司（阪大）長浜太郎（産総研） |
| 問い合わせ先： |
長浜太郎（産総研）taro-nagahama＜at＞aist.go.jp （＜at＞を@にして送信下さい）
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| プログラム： |
| 前半 |
座長 長浜太郎（産総研） |
| 13:00−13:45 |
Coフェライトを用いたスピンフィルタ素子の作製
高橋有紀子（物材機構） |
| 13:45-14:30 |
スピネル型MgAl2Oxバリアを有する強磁性トンネル接合のTMR効果
介川裕章（物材機構） |
| 14:30-15:15 |
機能性酸化物スピントロニクス
田中秀和（阪大） |
| 15:15-15:30 |
休憩
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| 後半 |
座長 大嶋則和（NEC） |
| 15:30-16:15 |
酸化物を用いたスピントロニクス
齋藤英治（東北大） |
| 16:15-17:00 |
Bi系マルチフェロイックス薄膜を用いたスピントロニクス
○永沼博1、安井伸太郎2、西田謙3、舟窪浩2、飯島高志4、岡村総一郎5、大兼幹彦1、水上成美6、安藤康夫1（1東北大, 2東工大、3防衛大、4産総研、5東理大、6東北大WPI） |
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