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| テーマ： |
「垂直磁化とスピンエレクトロニクス」
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| 日 時： |
平成21年1月16日（金） 13:00 〜 16:35 |
| 場 所： |
名古屋大学IB電子情報館北棟8階 IB081講義室
名古屋市千種区不老町（地下鉄名古屋大学駅３番出口すぐ）
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| 世話人： |
大嶋則和(NEC)，小野輝男（京大），榊間博（松下），綱島滋（名大） |
| 問い合わせ先： |
綱島滋（名大）tsunashi＜at＞nuee.nagoya-u.ac.jp
（＜at＞を@にして送信下さい） |
| プログラム： |
| 13:00-13:40 |
垂直磁化方式スピン注入MRAMとそのスケーラビリティー
與田博明（東芝） |
| 13:40-14:20 |
垂直磁化膜における磁壁電流駆動とＭＲＡＭへの応用
深見俊輔、鈴木哲広、永原聖万、大嶋則和、石綿延行 （ＮＥＣ）
谷川博信、小山知弘、山田元、葛西伸哉、小野輝男 （京大） |
| 14:20-15:00 |
垂直磁化 FePt を用いたスピンホール効果の研究
高梨弘毅（東北大） |
| 15:00-15:15 |
休憩
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| 15:15-15:55 |
垂直磁化膜におけるスピン注入磁壁移動シミュレーション
仲谷栄伸（電通大），小野輝男（京大） |
| 15:55-16:35 |
マイクロ波磁界を用いた垂直磁化膜パターンのスイッチング磁界低減
能崎幸雄、大田正直、立石健太郎、成田直幸、白石壮馬、田中輝光、松山公秀（九大)
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