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第4回「スピンエレクトロニクス専門研究会」
日　時： 平成16年12月6日（月）13:00〜17:30
場　所： JAビル第1会議室
    千代田区大手町１−８−３
    地下鉄各線大手町駅下車徒歩約2〜5分
    ＪＲ東京駅丸の内北口より徒歩約10分
    （詳細はこちらの案内図をご参照ください）
共　催： 茨城県中性子利用促進研究会・第４回ナノ磁性材料第研究会
テーマ： 中性子および放射光によるスピンエレトロニクス材料の評価
問い合わせ先： 片山（産総研）　E-mail: t-katayama@aist.go.jp

プログラム：


座長：安藤功兒（産総研）
13:00 - 13:10 「はじめに」
　 　西原美一（茨城大理）
13:10 - 13:55 「放射光Ｘ線磁気円二色性による磁性材料の元素別磁化解析」
　 　中村哲也（SPring-8 /（財）高輝度光科学研究センター）
13:55 - 13:40 「単結晶Fe/MgO/Fe接合下部Fe原子層の磁気状態とトンネル 磁気抵抗効果」
　 　片山利一（産総研）
14:40 - 15:25 「中性子反射率によるGMR膜の磁気モーメント評価」
　 　平野辰巳（日立研）
15:25 - 15:40
--- 休憩 （15分）---


座長：加倉井和久（原研）
15:40〜16:25 「偏極中性子反射率計による，磁性薄膜・人工格子の研究」
　 　武田全康（原研）
16:25〜17:10 「J-PARC反射率計の概要と反射率法による非磁性物質界面の構造解析」
　 　鳥飼直也（高エネ研）

なお、講演時間には質問時間を含みます。
また、当学会では、ビデオ・写真撮影および録音はご遠慮頂いております。