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第3回「スピンエレクトロニクス専門研究会」
日　時： 平成16年11月26日（金）13:00〜16:45
場　所： 機会振興会館地下3階研修2
共　催： IEEE Magnetics Society Japan Chapter
テーマ： MRAMとスピン注入技術の進展
世話人： 綱島滋（名大）、斉藤好昭（東芝）、鈴木義茂（阪大）
問い合わせ先： 鈴木（阪大）　E-mail: suzuki-y@mp.es.osaka-u.ac.jp

プログラム：
13：00 - 14：15 "Magnetoresistive Random Access Memory: The Path to Competitiveness "
　 　Prof. Jian-Gang (Jimmy) Zhu (IEEE Distinguished Lecturer 2004)(Data Storage Systems Center and Department of Electrical and Computer Engineering Carnegie Mellon University)
14：15 - 15：00 「ＳＡＦピン層漏洩磁場の精密制御によるＭＲＡＭセルアレイでの書き込み ビット歩留まりの改善」
　 　吉川将寿1、浅尾吉昭1、池川純夫1、與田博明1、波田博光2、石綿延行2、田原修一2(１　(株）東芝　研究開発センター，２　日本電気 （株）　システムデバイス研究所）
15：00 - 15：15
--- 休憩 ---
15：15 - 15：45 「スピントルクによる磁化反転：　その課題とMRAMへの適用」
　 　屋上　公二郎（ソニー）
15：45 - 16：15 「強磁性半導体における電流駆動の磁化反転と磁壁移動」
　 　千葉大地、山ノ内路彦、松倉文礼、大野英男（東北大通研）
16：15 - 16：45 「TMRの進展について：室温で230%のTMR」
　 　ダビッド　ジャヤプラウィラ、恒川孝二、長井基将、前 原大樹、山形伸二、 渡辺直樹（アネルバ株式会社　エレクトロンデバイス装置事業部プロセス技術グループ）