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日 時：日時・場所： ２００９年９月１４日 Ｂ会場 １３：００〜１７：００
参加者：１２０名
1. “Future Options for HDD Storage,” Y. Shiroishi (Hitachi), K. Fukuda (TDK), I. Tagawa (Hitachi GST), H. Iwasaki (Toshiba), S. Takenoiri (Fuji Electric Device Technology), H. Tanaka (Hitachi GST), H. Mutoh (Fujitsu), N. Yoshikawa (Toshiba).
2. “Magnetic Properties of TbFeCo Film with Columnar Structure Fabricated on High Density Nanodot Pattern,” N. Iwata (Sharp, Osaka Univ.), Y. Murakami, A. Takahashi (Sharp), H. Nomura, R. Nakatani (Osaka Univ.).
3. “Measurement of head magnetization in the presence of pseudo-backlayer by using focused hard X-ray magnetic circular dichroism,” K. Taguchi, Y. Kondo (AIT), M. Suzuki, N. Kawamura(JASRI), K. Yamakawa, K. Ouchi (AIT).
4. “Experimental and numerical study on microwave-assisted recording of perpendicular medium,” Y. Nozaki, N. Narita, K. Noda, T. Tanaka, K. Matsuyama (Kyushu Univ.).
5. “Reduction of Read Gap Length by Thin Exchange Bias Layer,” C. Mitsumata (Hitachi Metals).
6. “Effect of high-temperature annealing on ferromagnetic nanocontact MR with CPP spin-valve structure,” H. Fuke, S. Hashimoto, M. Takagishi, H. Iwasaki (Toshiba).
7. “Study of Spin Accumulation in Non-local Geometry Device with Metal Nano-strips,”
M. Yamada, H. Takahashi (Hiatchi, Tohoku Univ.), K. Sagae, H. Aoi (Tohoku Univ.).
本シンポジウムは「Storage Technology in Next Five Years」と題して、今後５年の磁気ストレージ技術について、最先端でご活躍されている研究者にご講演いただいた。今後を占う重要なストレージ技術のシンポジウムとあって満杯となったが、学術講演会のシンポジウムでもあり形式を重視したため、ナノマグ特有の活発な討論が十分展開されなかったことが残念である。
講演は、先ず、日立の城石氏より、将来ＨＤＤ技術の有力な候補である ビットパタン記録 (ＢＰＭＲ：Bit Patterned Magnetic Recording)、熱アシスト記録 (ＨＡＭＲ：Heat Assisted Magnetic Recording)， マイクロ波アシスト記録(ＭＡＭＲ：Microwave Assisted Magnetic Recording)、シングル記録・２次元記録(ＳＷＲ：Shingled Write Recording、ＴＤＭＲ：Two dimensional Magnetic Recording) について紹介があった。シャープ・阪大の岩田氏より、ＢＰＭの有力な候補媒体として、TbFeCo高記録密度ナノドット自己組織化柱状パタン形成技術が紹介された。続いて、記録媒体のＳＵＬがある状態での単磁極ヘッドの磁化を直接観察する技術がＡＩＴの田口氏より報告された。ＳＵＬを透過する硬Ｘ線を用いて磁気円二色性(XMCD)により磁化測定するものである。九大の能崎氏からは、ＭＡＭＲの基礎となる垂直磁化（CoPt多層）膜のマイクロ波アシスト磁化反転実験が報告された。
再生ヘッドの高性能（高記録密度対応）化に関して３件の講演があった。高分解能化に有効なシールド間隔を低減する可能性のある強磁性/反強磁性交換結合膜構造を理論的に示したのは日立金属の三又氏である。反強磁性体にスピンフラストレーションが発生していると臨界膜厚が薄くなる。東芝の高岸氏からは、再生ヘッドの高感度化に有効な強磁性ナノコンタクト型ＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）―ＧＭＲスピンバルブ素子の高温熱処理効果について紹介された。最後に、日立・東北大の山田氏より、金属ナノストライプを用いた非局在配列デバイスにおけるスピン蓄積効果の研究が報告された。
文責：五十嵐万壽和（日立） |
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