MSJ 日本磁気学会

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ナノマグネティックス専門研究会


	第20回ナノマグネティックス専門研究会　報告

日　時：2007年 5月11日（金） 13：30 ～ 16：45
場　所：全電通労働会館
参加者：35名

　今回の専門研究会は，ナノマグ専門研究会スタンダードであるヘッド技術，媒体技術，観察技術，応用技術の各分野からの講演をお願いした。普段あまり交流のない分野の専門家が集まり，活発で，新鮮な討論がなされた。

「FeCoナノコンタクトを用いたCPPスピンバルブの磁気抵抗効果効果」
　福家ひろみ1、高岸雅幸1、橋本進1、岩崎仁志1、河崎昌平2、三宅耕作2、佐橋政司2（1東芝、2東北大）
　酸化層の一部に複数の磁性ナノ電流パス部を有するスペーサを用いたＣＰＰ構造ＦｅＣｏナノコンタクトを作製し、最大１０％のＭＲ比を実現した。ＭＲ発現起源はナノコンタクト部に形成された磁壁によると考えられる。
「Ｃｏ基ホイスラー合金の微細構造とスピン分極率」
　高橋有紀子1、A. Rajanikanth2, S.V. Karthik2, Z. Gercsi1, 中谷友也2、古林孝夫1、猪俣浩一郎1、宝野和博1,2（1物材機構、2筑波大学）
　Ｃｏ基ホイスラー合金のアンドレーフ反射法によるスピン分極率測定と３次元アトムプローブ（3DAP）による微細構造評価の紹介，3DAPによる電球狭窄型ＣＰＰ－ＧＭＲのナノＣｕ導電パスの元素分布観察の紹介。
「Sharrock式で求めた熱安定指数KuV/kT及びスイッチ磁界Hoの信頼性」
　五十嵐万壽和1、杉田愃2（1日立、2東北工大）
　実験では得られない広い時間スケールでの保磁力変化を計算機シミュレーションより求め，熱安定指数（KuV/kT）等の信頼性を検討。５％程度の精度を得るための周波数因子foは，10^11を超えることを確認。
「双方向電流書換回路・平行化方向読出し回路を備えた2Mb-SPRAM（Sｐin-transfer torque RAM)」
　三浦勝哉1、竹村理一郎1、河原尊之1、早川純1,2、池田正二2、李永眠2、佐々木龍太郎2、後藤康1、伊藤顕知1、目黒敏靖2、松倉文2、高橋宏昌1,2、松岡秀行1、大野英男2（1日立、2東北大）
　低電流書き換え可能なTMR素子を用いて、高速・大容量・不揮発性磁気メモリ、SPRAMを開発。双方向電流書換回路・平行化方向読出回路により，書込み時間100ns，アクセス時間40nsでの動作を実現。

（東芝　岩崎仁志，日立　五十嵐万壽和）