MSJ 日本磁気学会

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ナノマグネティックス専門研究会


	第14回ナノマグネティックス専門研究会　報告

日　時：2005年12月12日（月） 13:20～17:00
場　所：（株）日立製作所中央研究所小平記念館M2B会議室
参加者：30名

「MgO障壁層を用いたTMR素子のトンネル磁気抵抗効果とスピントルク磁化反転」
（早川純1、2、池田正二2、李永珉2、佐々木龍太郎2、目黒敏靖2、松倉文礼2、高橋宏昌1、2、大野英男2（1日立製作所、2東北大通研））
MgO障壁層を用いたトンネル磁気抵抗効果素子において、室温で350%以上のTMR比と10^5A/cm^2台の低電流によるスピントルク磁化反転を報告し、ギガビット級磁気メモリへの応用に必要な特性を紹介した。
「Ni-Fe/Mn-Ir交換結合非対称リングの磁化過程」
（中谷亮一1、佐々木勲1、遠藤恭1、山本雅彦1、川村良雄1、長永隆志2、綾淳2、黒岩丈晴2、Sadeh Beysen2、小林浩2（1大阪大、2三菱電機））
非対称リング形状MRAMメモリセル固定層への交換バイアス付与について報告された。NiFe/MnIr交換結合膜を用いた500 nm径リングセルにおいて、ブロッキング温度からの降温によりMnIr層のスピンがNiFe層の磁化方向に固定され、円周方向交換バイアスとして機能することがMOKE測定とMFM観察結果より示された。
「スピン注入強磁性共鳴と高周波ノイズ特性」
水口将輝1、福島章雄2、久保田均2、湯浅新治2、前原大樹3、恒川孝二3、David Djayaprawira3、渡辺直樹3、鈴木義茂1（1阪大院基工、2産総研、3Canon ANELVA ）
室温で高いトンネル磁気抵抗効果を示す、MgOベース強磁性トンネル接合の様々な高周波応答を測定した。スピン注入を利用したFMRの測定や、磁気ノイズの特性評価などを行い、スピンダイナミクスの解明に迫った。
「TbFeCo/FePt CGC膜の膜構造と磁化状態」
伊藤彰義（日大）
FePt微粒子とTbFeCo膜との交換結合による高密度・低雑音記録媒体の可能性について報告された。FePt微粒子/TbFeCo膜の界面構造を模擬した３次元 LLGシミュレーションにより、TbFeCo単層膜に比べ磁壁幅が狭くかつ平滑な磁壁形状を有する40 nm径以下の微小磁区が安定に存在しうることが示された。

　超高密度記録化に向けたブレークスルー技術のいくつかをご紹介いただいた。今後の動向に目が離せない話題ばかりで詳細な質疑が行われ、講演者と聴衆に高い緊張感があった。

（九大　松山　公秀，日立　五十嵐万壽和）