日時：平成7年12月 14日
場所：NTT武蔵野研究開発センター
連絡先：42名
今回の研究会では，磁気記録関係2件，光記録関係1件・磁気と半導体の融合を試みる研究1件に関して，計4件の研究発表が行われた．発表の概要は以下のとおりである．
講演題目：
- オフセットビームを用いた並列再生法の研究 土橋寿昇，田辺隆也，山本 学(NTT境界領域研究所)
- 強磁性化合物/半導体構造のへテロエピタキシーとその新機能 田中雅明(東京大学)
- モンテカルロ法シミュレーションによる歌磁性薄膜の磁化分布解析 田河育也, 丹 健二, 中村慶久(東北大学)
- 柱状構造をした垂直磁化膜の磁化の反転機構 石井良博(函館高専)
NTTの土橋氏から，光ディスク上の隣り合う3本のトラックに記録された情報を，2本の光ビームを用いて同時に再生する手法について報告がなされた．本手法では，2本のビームの中心を両側のトラック中心よりも中央トラックよりにオフセットさせて，同時再生を可能にしている．この手法を用いることで，従来法に比べ，転送速度を3倍，トラック密度を1.5倍にすることが可能であることなどが述べられた．
東京大学の田中氏から，従来，電子デバイス，光デバイスを指向して研究・開発が行われてきた半導体と主に磁気メモリーを指向して研究・開発がなされてきた磁性体を融合する研究展開の可能性について述べられた．また，氏の最近の研究から，GaAs基坂上に，MnGa・ MnA1・MnNiAIなどの強磁性金属をエビ成長させることが可能であること，またその磁気特性を制御可能であることなどが述べられた．
東北大学の田河氏から，モンテカルロシミュレーション解析法の特長を従来の解析法に比べた説明がなされた。本手法の特長のーつは，解析領域を小さくする必要がない点であるが，この特長を活かすための磁荷分布の平均化手法についてなど，詳しく解析手法の手順について述べられた．磁壁エネルギーの膜厚依存性の解析結果が示され，膜厚の低減に伴い，磁壁のエネルギーが増大すること，さらに，矩形形状を有する軟磁性膜内の磁化分布について本解析手法を用いた結果について述べられた．
函館高専の石井氏から柱状構造をした垂直磁化膜の磁化機構に関して，カーリング，フブンニング・バックリングを仮定した解析について紹介がなされた．磁気嵐方性エネルギーが高くなると，カーリングとー斉回転機構のエネルギーが接近しーフナンニングあるいはバックリング機構が起きやすくなるなどの発表がなされた．今後，COCrなどの実際の媒体の物性定数と突き合わせた評価が期待される．
(NTT 鹿野)
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