2015年3月13日 / 最終更新日 : 2015年3月13日 MSJ スピントロニクス 33.02 分野: スピンエレクトロニクス タイトル: 2メガビットのスピン注入磁化反転RAMチップ試作に成功 出典: 日立製作所のプレスリリース (http://www.hitachi.co.jp/New/cnews/month/ […]
2015年3月13日 / 最終更新日 : 2015年3月13日 MSJ スピントロニクス 34.03 分野: スピンエレクトロニクス、磁気物理、磁性材料 タイトル: スパッタ形成されたNiFeポイントコンタクトで140%のMRを確認 出典: 第54回応用物理学関係連合講演会（29aZT-3） 概要: 東芝（東北大）大沢 […]
2015年3月12日 / 最終更新日 : 2015年3月12日 MSJ スピントロニクス 34.01 分野: スピンエレクトロニクス、磁気物理、磁性材料 タイトル: 国際ワークショップ「SPIN CURRENTS 2007」が開催 出典: http://www.ifcam.imr.tohoku.ac.jp/spincur […]
2015年3月12日 / 最終更新日 : 2015年3月12日 MSJ スピントロニクス 37.04 分野: スピンエレクトロニクス タイトル: MRAM実用化のためのダブルバリア垂直MTJ 出典: IEEE Trans, Magn, Vol.43, No.2 914 (2007) 概要: 国立雲林科技大学（台湾）の研 […]
2015年3月12日 / 最終更新日 : 2015年3月12日 MSJ スピントロニクス 37.02 分野: スピンエレクトロニクス タイトル: 膜面垂直通電型GMRヘッドの開発に成功（東芝） 出典: CPP-GMR films with a current-confined-path nano-oxide layer […]
2015年3月12日 / 最終更新日 : 2015年3月12日 MSJ スピントロニクス 38.02 分野: スピンエレクトロニクス タイトル: グラフェンスピントロニクス 出典: Science 317, 1726 (2007) http://www.sciencemag.org/cgi/content/full/3 […]
2015年3月12日 / 最終更新日 : 2015年3月12日 MSJ スピントロニクス 40.02 分野: スピンエレクトロニクス タイトル: 強磁性半導体(Ga,Mn)As中の磁壁運動に対する微弱電流と磁界の作用の違い 出典: Science 317, 1726 (2007) http://www.sciencem […]
2015年3月10日 / 最終更新日 : 2015年3月10日 MSJ スピントロニクス 42.03 分野: スピンエレクトロニクス タイトル: 世界最高速250MHz・SRAM互換で動作するMRAMを開発 出典: NECのプレスリリース (http://www.nec.co.jp/press/ja/0711/3001. […]
2015年3月6日 / 最終更新日 : 2015年3月6日 MSJ スピントロニクス 42.02 分野: スピンエレクトロニクス タイトル: 垂直磁化方式のＭＴＪ素子で世界初動作 出典: 東芝のプレスリリース (http://www.toshiba.co.jp/about/press/2007_11/pr_j0601 […]
2015年3月4日 / 最終更新日 : 2015年3月4日 MSJ スピントロニクス 43.02 分野: スピンエレクトロニクス タイトル: スピン注入磁化反転、微弱磁場下で精度良く制御できることを発見 出典: Current-excited magnetization reversal under in-plane […]
