2015年4月15日 / 最終更新日 : 2015年4月15日 ed MSJ スピントロニクス 8.05：（Phys.Rev.Lett.より） (Ga,Mn)As/GaAs/(Ga,Mn)As CPP構造素子において1.7Kで150,000パーセントのMRを観測 ドイツ・ビュルツブルク大学のL. W. Molenkamp教授グループは、強 […]
2015年4月15日 / 最終更新日 : 2015年4月15日 ed MSJ スピントロニクス 9.05 9.05（第5回スピンエレクトロニクス専門研究会） ナノ構造と磁性に関する最近の話題 2005年2月4日、国際高等研において、「ナノ構造と磁性に関する最近の話題」とのタイトルで第5回スピンエレクト […]
2015年4月15日 / 最終更新日 : 2015年4月15日 ed MSJ スピントロニクス 9.03 9.03（Phys. Rev. Lett.より） スピン発光ダイオードを用いたスピンホール効果の測定 日立ケンブリッジ研究所（以下、日立と略す）を中心とするグループは、2005年2月1日、独自に開 […]
2015年4月15日 / 最終更新日 : 2015年4月15日 ed MSJ スピントロニクス 9.02 9.02（IEDM2004より） NiOを用いた不揮発性メモリRRAMの試作 2004年12月に開催されたIEDM2004でサムスン（講演番号23.6）はNiOを用いる抵抗変化型不揮発性メモリRR […]
2015年4月15日 / 最終更新日 : 2015年4月15日 ed MSJ スピントロニクス 9.01（IEDM2004より） IBMが3次元高集積磁気メモリのアイデアを披露 IBMのDr.ParkinがIEDM2004（講演番号37.1）で披露した"Domain Wall Magnetic Race Track […]
2015年4月15日 / 最終更新日 : 2015年4月15日 ed MSJ スピントロニクス 10.04（特許庁HPから） タイトル: 特許庁「ＭＲＡＭ・スピンメモリ技術」に関する標準技術集公開 概要: 特許庁は「ＭＲＡＭ・スピンメモリ技術」に関する標準技術集を公開した。特許庁のホームページから閲覧することができる（http://www.j […]
2015年4月15日 / 最終更新日 : 2015年4月15日 ed MSJ スピントロニクス 10.02（第6回スピンエレクトロニクス専門研究会より） タイトル: 強磁性半導体の強磁性の起源を軟X線磁気円二色性で調べる 概要: 藤森淳氏らは軟X線磁気円二色性(XMCD)を用いて強磁性半導体物質の電子 構造を調べ、GaN:Mnの強磁性は不純物起源であるが、(Zn,Co) […]
2015年4月15日 / 最終更新日 : 2015年4月15日 ed MSJ スピントロニクス 11.02（Intermag2005（講演番号BA-01）） タイトル: MTJ素子のスピン注入磁化反転電流がかなり下がってきた。 概要: GrandisのHuaiらは低抵抗TMR素子を用いたスピン注入磁化反転を報告した。フリー層がCoFeB単層の場合に比べ、フリー層の上部にスピ […]
2015年4月15日 / 最終更新日 : 2015年4月15日 ed MSJ スピントロニクス 15.05（http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/ pr2005/pr20050823/pr20050823.html (2005.8.23プレスリリース)） 分野: スピンエレクトロニクス タイトル: 半導体系スピントロニクス素子における伝導現象を解明 概要: 産総研の齋藤秀和研究員らは半導体材料のみを用いたトンネル磁気抵抗（TMR）素子を作製し、電子のスピンに依存する電気 […]
2015年4月10日 / 最終更新日 : 2015年4月10日 ed MSJ ナノ構造 121.01 分野: ナノ構造 タイトル: 巨大磁気モーメントを持つシアノ基架橋Fe42カゴ状磁性ナノクラスター分子 出典: 1)http://www.kyushu-u.ac.jp/pressrelease/2015/2015_01_ […]
