2015年4月15日 / 最終更新日 : 2015年4月15日 MSJ スピントロニクス 4.04 4.04：プレスリリースより 室温で230%のTMR比を示す素子がスパッタ法で作製可能に！ アモルファスAl-Oを障壁とするTMR素子の室温におけるTMR比の大きさは2004年1月のMMM会議でN […]
2015年4月15日 / 最終更新日 : 2015年4月15日 MSJ スピントロニクス 6.03 6.03：米アラバマ大学MINT Centerワークショップ デュアル・スピンバルブ型のTMR素子でスピン注入磁化反転を実現 スピン・トルクを用いた微小接合素子の磁化反転をMRAMの書込に使えるか […]
2015年4月15日 / 最終更新日 : 2015年4月15日 MSJ スピントロニクス 6.02 6.02：MMM 2004より パーマロイ膜をPt膜で挟み込んだ膜にスピンダイナミクスが関与か 東北大学の安藤氏を始めとするグループから、スピンポンピングがパーマロイ膜のスピンダイナミクスに及ぼす影響についての報告があっ […]
2015年4月15日 / 最終更新日 : 2015年4月15日 MSJ スピントロニクス 7.01 7.01：（第3回スピンエレクトロニクス専門研究会報告） MRAMとスピン注入技術の進展 11月26日、機会振興会館において参加者58名を得て、応用磁気学会スピンエレクトロニクス専門研究会、ナノマグネティクス専門研究会、 […]
2015年4月15日 / 最終更新日 : 2015年4月15日 MSJ スピントロニクス 8.05：（Phys.Rev.Lett.より） (Ga,Mn)As/GaAs/(Ga,Mn)As CPP構造素子において1.7Kで150,000パーセントのMRを観測 ドイツ・ビュルツブルク大学のL. W. Molenkamp教授グループは、強 […]
2015年4月15日 / 最終更新日 : 2015年4月15日 MSJ スピントロニクス 9.05 9.05（第5回スピンエレクトロニクス専門研究会） ナノ構造と磁性に関する最近の話題 2005年2月4日、国際高等研において、「ナノ構造と磁性に関する最近の話題」とのタイトルで第5回スピンエレクト […]
2015年4月15日 / 最終更新日 : 2015年4月15日 MSJ スピントロニクス 9.03 9.03（Phys. Rev. Lett.より） スピン発光ダイオードを用いたスピンホール効果の測定 日立ケンブリッジ研究所（以下、日立と略す）を中心とするグループは、2005年2月1日、独自に開 […]
2015年4月15日 / 最終更新日 : 2015年4月15日 MSJ スピントロニクス 9.02 9.02（IEDM2004より） NiOを用いた不揮発性メモリRRAMの試作 2004年12月に開催されたIEDM2004でサムスン（講演番号23.6）はNiOを用いる抵抗変化型不揮発性メモリRR […]
2015年4月15日 / 最終更新日 : 2015年4月15日 MSJ スピントロニクス 9.01（IEDM2004より） IBMが3次元高集積磁気メモリのアイデアを披露 IBMのDr.ParkinがIEDM2004（講演番号37.1）で披露した"Domain Wall Magnetic Race Track […]
2015年4月15日 / 最終更新日 : 2015年4月15日 MSJ スピントロニクス 10.04（特許庁HPから） タイトル: 特許庁「ＭＲＡＭ・スピンメモリ技術」に関する標準技術集公開 概要: 特許庁は「ＭＲＡＭ・スピンメモリ技術」に関する標準技術集を公開した。特許庁のホームページから閲覧することができる（http://www.j […]
