06.05

2004日米合同電気化学国際会議より 低応力の飽和磁束密度2.4テスラのCoFeめっき膜を開発

  10月3～8日、第4回日米合同電気学会がヒルトンハワイアンビレッヂ(ホノルル・ハワイ) にて開催された。
  界面反応、実装、Cu配線、磁性材料などめっきに関する興味ある多くの講演があった。端子めっきのウイスカ－に関する講演、Cu配線では添加剤と埋め込み特性などについての研究が盛んに行われていた。また、磁性材料のセッション（L2 – Eighth International Symposium on Magnetic, Materials, Processes, and Devices）ではIBMから2.4テスラの飽和磁束密度をもつソフト磁性材料CoFeめっき膜についての報告が行われた。実際にソフト磁性材料として必要な磁気特性として5 Oe以下の保磁力、小さい磁歪、素子化を実現するための低い膜応力などが必要であり、これらについて組成、めっき条件を調整し、検討を行っていた。膜応力評価についても詳細に検討が行われ、パルスめっきを行うことによりDCめっきより低い応力のめっき膜が得られることについて述べられた。さらに、これらの検討からパルスめっきを行い、サブミクロンからナノレベルのパタ-ンサイズにCoFeめっき膜を形成した素子も紹介された。

（早稲田大学・齋藤 美紀子）