24.04

分野:

スピンエレクトロニクス

出典:

東芝およびNECのプレスリリース(2006.6.6)

　

タイトル:

不揮発性メモリ(MRAM)の基盤技術を確立

概要:

　東芝とNECはMRAMの共同開発において、256Mbit級の大容量化に必要な基盤技術を確立した。

本文:

　東芝とNECは2002年度よりMRAMの共同開発を開始し、2003年度からはNEDOの助成を受けて、0.13μmCMOS技術と0.25μm強磁性体トンネル接合技術を用いて256Mbit級MRAM実現のための基盤技術構築を目指し開発をしてきた。そして16Mbitチップを用い、256Mbit級まで高集積化した場合でも動作することを検証するとともに、書き込み電流値を世界最小となる約4mAに低減した。

　また、要素技術についてはINTERMAG 2006で発表された。誤書き込みを低減する方法としてMTJ素子の形状や構造を最適化しているが、INTERMAGではプロペラ型素子形状についての発表があった。また磁場発生効率を高めるための配線技術、低電圧かつ高速読み書きを実現する回路技術、微細加工に必要なエッチング技術についても報告があった。

　今後両社は、プロセス基盤技術の共同開発を継続しながら、更なる大容量化や高速化に向けたデバイス開発を促進する予定となっている。 

（ＮＥＣ　末光克巳）