25.02

分野:

スピンエレクトロニクス

出典:

東芝プレリリース　http://www.toshiba.co.jp/about/press/2006_06/pr_j0601.htm

タイトル:

東芝とNEC、256Mビット級MRAMの基盤技術を開発

概要:

　フリースケール・セミコンダクタ・インクは、7月10日、世界で初めてMRAMの量産を開始した。容量は４Mビット、トグルスイッチング書き込み方式を採用している。究極のメモリーと呼ばれ期待されていたMRAMがようやく市場に出回る。今後の市場での反応がこの分野での研究開発にとって注目される。

本文:

　東芝とNECは、不揮発性メモリ（MRAM）を256Mビットまで集積度を高めた場合でも動作することを示した。この基盤技術は、MTJ素子の最適化による誤書込みの防止、低電圧動作・高速読み書きの回路技術、微細加工プロセス技術などで構成される。 

（山口大　山本節夫）

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