第44回スピンエレクトロニクス専門研究会

テーマ： 「スピンエレクトロニクスの応用とその展開」

日　時：

平成25年3月6日（水）13:00 – 17:00

場　所：

中央大学駿河台記念館680号室

世話人：

斉藤好昭（東芝），大嶋則和（ルネサスエレクトロニクス），大森広之（ソニー），黒岩丈晴、古川泰助（三菱電機）

　スピン注入磁化反転型磁気ランダムアクセスメモリ（ST-MRAM）のサンプル出荷が2012年11月にEverspin社により開始されました。また、磁壁電流駆動型メモリ、Siおよびグラフェン中のスピン輸送、電界誘起またはスピンホール効果を利用した磁化反転、スピンカロリトロニクス、心磁図および脳磁図計測など、スピンの自由度を利用した新しい応用技術への試みも活発化しております。昨今、これらスピントロニクス技術は磁性体学会のみならず半導体学会でも重要なテーマとなってきています。これは半導体業界においてもスピントロニクスが極めて現実的な解であると認識されていることを表していると考えられます。本研究会では、これら研究の分野において第一線で技術革新に挑戦され、ご活躍の講師の方から、最新の研究動向等をご紹介頂き、活発な議論をしたいと思います。多くの方のご参加をお待ちしております。

プログラム：

　

　

座長：大嶋則和（ルネサスエレクトロニクス）

13:00-13:45

「垂直型STT-MRAMの材料開発とその展望」
薬師寺啓、久保田均、甲野藤真、福島章雄、湯浅新治、安藤功兒（産業技術総合研究所）

13:45-14:30

「磁性ナノヘテロ接合における電流誘起実効磁場とその効果」
林　将光¹、Junyeon Kim¹, 山ノ内路彦^２、深見俊輔^２、鈴木哲広^３、Jaivardhan Sinha¹, 三谷誠司¹、大野英男^２（¹物質・材料研究機構、^２東北大、^３ルネサスエレクトロニクス）

14:30-15:15

「トンネル磁気抵抗素子を用いた心磁場および脳磁場の計測」
安藤 康夫¹，藤原耕輔¹，大兼幹彦¹，永沼博¹，西川卓男^２（¹東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻、^２コニカミノルタテクノロジーセンター(株)）

15:15-15:30

休憩

　

座長：古川泰助（三菱電機）

15:30-16:15

「Siスピン伝導による室温磁気抵抗効果」
及川亨^１、佐々木智生^１、鈴木淑男^２、小池勇人^１、白石誠司^３（^１TDK株式会社、^２秋田県産業技術センター、^３阪大基礎工）

16:15-17:00

「スピンゼーベック効果に基づくスピン流熱電変換素子」
桐原明宏¹，石田真彦¹，染谷浩子¹，内田健一^2,3，梶原瑛祐^2,4，近藤幸一⁵，山本直治⁵，齊藤英治^2,4,6，河本滋¹，村上朝夫¹（¹ NEC、² 東北大、³ JSTさきがけ、⁴ JST-CREST、⁵ NECトーキン、⁶ 原研）