第68回スピンエレクトロニクス専門研究会

テーマ：

スピントロニクスデバイス研究開発の最前線

開催日時：

2018年7月6日(金)13:00-17:15

場所：

京都大学化学研究所宇治キャンパス　共同研究棟大セミナー室　CL-110【地図の30番】
(京阪宇治線「黄檗」下車　徒歩約6分、JR奈良線「黄檗」下車　徒歩約5分)

参加費：

一般：1000円(消費税込)　学生：無料

世話人：

谷川博信(ソニーセミコンダクタ), 小野輝男(京大), 加藤剛志(名大), 白石誠司(京大)

問い合わせ先：

谷川（ソニーセミコンダクタ）　
Hironobu.Tanigawa_at_sony.com　(_at_を@へ変更してください)

近年、スピンの自由度を利用したデバイスの研究開発が活況であり、製品化に向けた動きも多く見受けられます。本研究会では、スピントロニクスデバイスの研究開発においてご活躍されている方々から、最新の研究開発動向についてご紹介頂きたいと思います。多くの方のご参加をお待ちしております。

座長：加藤剛志(名大)

13:00-13:40

「垂直CoFeB/MgO磁気トンネル接合ならびにそれを用いたメモリの特性と
加工プロセス」

○佐藤英夫¹, 篠崎基矢¹, 五十嵐純太¹, J. Llandro¹, 渡辺俊成^1,5, 小池洋紀^1,5,
齋藤 節^1,5, 三浦貞彦^1,5, 本庄弘明^{1, 5}、井上博文¹, 池田正二^1,5, 野口靖夫^1,5,
谷川高穂^1,5, 安平光雄^1,5, 大野英男¹,康　松潤², 久保卓也², 高槻浩一²,
山下幸司², 八木靖司², 田村　亮³, 西村拓郎⁴, 村田　耕⁴, 遠藤哲郎^1,5
(¹東北大, ²東京エレクトロン, ³アドバンテスト,⁴キーサイト・テクノロジー, ⁵JST)

13:40-14:20

「Siウェハ上のエピタキシャルMTJ成膜と3次元積層化開発」

○薬師寺　啓¹, 高木秀樹¹, 鎌田親義², 渡辺直也¹, 倉島優一¹, 菊地克弥¹, 杉原　敦¹,
福島章雄¹, 久保田　均¹, 天野　実², 伊藤順一², 與田博明², 湯浅新治¹
(¹産総研, ²東芝メモリ)

14:20-15:00

「大容量・高速不揮発メモリVoltage Control Spintronics Memory (VoCSM)」

○下村尚治, 與田博明, 大沢裕一, 井口智明, 鴻井克彦, 白鳥　聡, 加藤侑志,
アルタンサルガイ　ブヤンダライ, 及川壮一, 杉山英行, 清水真理子,
石川瑞恵, テイワリ アジェイ, 黒部 篤(東芝)

15:00-15:15

休憩(15分)

座長：小野輝男(京大)

15:15-15:55

「スピントロニクスデバイス製造技術の現状と課題」

○山本弘輝, 小野敦央, 難波隆宏, 森田　正, 森本直樹 (アルバック)

15:55-16:35

「TMRセンサ材料および素子開発の進展」

○大兼幹彦, 藤原耕輔, 安藤康夫 (東北大)

16:35-17:15

「スピン流を使った熱電変換素子の開発」

○石田真彦, 桐原明宏, 岩崎悠真, 澤田亮人 (NEC)