第59回スピンエレクトロニクス専門研究会

第59回スピンエレクトロニクス専門研究会
共催 第58回化合物新磁性材料専門研究会

テーマ：

デバイス応用へ向けた酸化物・化合物磁性薄膜開発の最前線

開催日時：

2016年7月8日(金)13:00 – 16:40

場所：

産業技術総合研究所　第2事業所本館D821室 (第1AV室)(茨城県つくば市梅園1-1-1)

事前登録：

7月1日（金）まで氏名、所属、所属先電話番号を下記宛にe-mailにて連絡のこと　
*産総研職員は氏名のみで可

事前登録先：

産業技術総合研究所スピントロニクス研究センター　齋藤秀和　
e-mail: h-saitoh_at_aist.go.jp

世話人：

川中浩史(産総研),　鬼頭聖(産総研), 土井正晶(東北学院大)，齋藤秀和(産総研), 斉藤好昭(東芝)

酸化物磁性体は，例えば金属単体と比較して磁場，温度および電界で大きくその物性が変化する等，基礎物性に留まらずデバイス応用の観点から大変魅力的な材料です。その一方で，薄膜作製の際には化学量論的組成の精緻な制御を必要とするため，高品位の薄膜作製は容易ではなく応用へ向けての障害となってきました。しかしながら，近年の成膜技術の発達と長年の技術の蓄積に伴い，高品位の薄膜およびヘテロ構造の作製が可能となってきました．本研究会では，酸化物および関連化合物薄膜に関する研究でご活躍の研究者を講師としてお招きし，特にデバイス応用の現状とトピックスをご紹介いただきます。多くの方のご参加をお待ちしております。

13:00 – 13:40

「デバイス応用に向けたCr₂O₃電気磁気薄膜材料開発の現状」

○野崎友大, S. P. Pati, M. Al-Mahdawi, 葉 術軍, 塩川陽平, 佐橋政司(東北大)

13:40 – 14:20

「スピネルフェライト層を用いたトンネル磁気抵抗素子の開発」

○長浜太郎(北大)

14:20 – 15:00

「スピントランジスタの原理動作実証に向けた材料開拓と新規物性探索」

○大矢 忍, 金木俊樹, 寺田 博, 宗田伊理也, 若林勇希,
真藤達也, 竹嶋健人, 田中雅明(東大)

15:00- 15:20

休憩

15:20 – 16:00

「スピントロニクス材料としてのスピネルフェライト」

○柳原英人, 田結荘健, 松本光玄, 喜多英治(筑波大)

16:00 – 16:40

「BiFeO₃系強磁性・強誘電薄膜の局所電界印加による磁化方向制御と電界書込み型磁気記録デバイスへの応用」

○吉村 哲(秋田大)