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「MTJの進展とスピンエレクトロニクスデバイスの展開」
MgO膜バリア層やハーフメタル系材料など新しい材料の研究が進み、非常に高い磁気抵抗比をもつ磁気トンネル接合膜（MTJ：Magnetic Tunneling Junction）が実現しています。また、こうしたMTJを用いることで、スピン注入磁化反転など電子スピンと局在磁化の相互作用を利用した磁気現象の研究も加速され、MRAMやSpin-RAMに代表されるスピンエレクトロニクスデバイスへの展開が進んでいます。更に、新しい機能を持ったデバイスを見すえたスピンエレクトロニクスの物理の理解も進んでいます。このような状況をふまえ、本研究会ではMTJの進展と新しいスピンエレクトロニクスデバイスの展開について最前線で研究されている講師の方々に研究を紹介いただき、議論を深めていきたいと考えております。多くの方のご参加をお待ちしております。
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| 日時： |
2007年2月27日（火） 13:00～17:00 |
| 場所： |
化学会館 5階501会議室
東京都千代田区神田駿河台1-5 （JR・地下鉄、御茶ノ水駅より徒歩3分）
電話: 03-3292-6162
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| 協賛： |
IEEE Mag. Soc. Japan Chapter、日本金属学会、電気学会、電子情報通信学会、日本物理学会、応用物理学会 |
| 参加費： |
無料（年間講読者、学生）
2,000円（会員、協賛会員）
4,000円（非会員） |
| 資料代： |
1,000円（会員、協賛会員、非会員、学生） |
| 問合せ先： |
日本応用磁気学会事務局
Tel: 03-5281-0106 |
| オーガナイザ： |
大嶋則和（NEC）、黒岩丈晴（三菱電機）、斉藤好昭（東芝）
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| プログラム： |
| 座長：斉藤好昭（東芝） |
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| 13:00-13:35 |
Co基フルホイスラー合金を用いた強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果
手束展規1)、池田直路1)、杉本諭1)、猪俣浩一郎1,2) （1)東北大、2)物材機構） |
| 13:35-14:10 |
強磁性共鳴を用いたMRAMフリー層材料の磁気緩和定数測定
安藤康夫、大兼幹彦、渡邉大輔、渡邉美穂、Resul Yilgin、家形諭、宮﨑照宣（東北大） |
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| 休憩 14:10-14:25 |
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| 座長：大嶋則和(NEC) |
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| 14:25-15:00 |
電流磁場書き込みMRAM技術
上野修一1)、黒岩丈晴2)、清水雅裕1)、井上靖朗1)（1)ルネサステクノロジ、2)三菱電機） |
| 15:00-15:35 |
スパッタ製膜MgO障壁強磁性トンネル素子の磁気抵抗効果とスピントルク磁化反転
早川純1,2)、池田正二2)、李永民、佐々木龍太郎2)、松倉文礼2)、目黒敏靖2)、高橋宏昌1,2)、大野英男2)（1)日立、2)東北大)
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| 休憩 15:35-15:50 |
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| 座長：黒岩丈晴（三菱電機）） |
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| 15:50-16:25 |
スピントルクダイオードと負性抵抗効果
前原大樹1)、鈴木義茂2)、白石誠司2)、水口将揮2)、大石恵2)、久保田均3)、福島章雄3)、大谷祐一3)、湯浅新治3)、安藤功兒3)、永峰佳紀1)、恒川孝二1)、ダビット・ジャヤプラウィラ1)（1)キヤノンアネルバ、2)大阪大、3)産総研）
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| 16:25-17:00 |
非局所手法を用いたスピンホール効果の電気的検出
木村 崇1,2)、Laurent Vila1)、 大谷義近1,2)（1)東大、2)理研）
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| 当学会では、研究会でのビデオ・写真撮影及び録音は遠慮いただいております。 |
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