MSJ 日本磁気学会


	日本応用磁気学会第145回研究会第１０回スピンエレクトロニクス専門研究会

「スピン流駆動デバイスの最前線」

スピン偏極電流（スピン流）で磁化を制御する新しい方式の磁気デバイス、スピン流駆動デバイスを創出する研究が進められています。スピン流駆動デバイスは、高密度磁気メモリの記録方式を変え、またスピントランジスタやスピンダイオードなど能動素子に展開できることから、磁気デバイスに新しい可能性を与えるものとして期待されています。本研究会では、こうしたスピン流駆動デバイスを実現するための基礎から応用までに関する最前線の研究を第一線で活躍される講師の方々に紹介していただき、新しいデバイス創出にむけて議論を深めていきたいと考えております。　磁性半導体、ナノ磁性、スピン注入などスピンエレクトロニクスの広範囲な領域をカバーしていますので、分野にとらわれることなく多くの方のご参加をお待ちしております。

日時：	2006年1月30日(月) 9:30 - 17:40
場所：	化学会館6階大会議室東京都千代田区神田駿河台1-5 (JR・地下鉄、御茶ノ水駅より徒歩3分) 電話:03-3292-6244
協賛：	IEEE Mag.Soc.Japan Chapter、日本金属学会、電気学会、電子情報通信学会、日本物理学会、応用物理学会
参加費：	無料（年間講読者、学生） 2,000円（会員、協賛会員） 4,000円（非会員）
資料代：	1,000円（会員、協賛会員、非会員、学生）
問合せ先：	日本応用磁気学会事務局 (Tel: 03-5281-0106，Fax: 03-5281-0107)
オーガナイザ：	安藤功兒（産総研）、大嶋則和（NEC）、大谷義近（東大／理研）、斉藤好昭（東芝）

プログラム：
座長：大谷義近（東大/理研）

9:30-9:35	はじめに大嶋則和（NEC）
9:35-10:15	「GaMnAs系MTJにおけるスピン依存伝導特性」齋藤秀和、湯浅新治、安藤功兒
10:15-10:55	「(Ga,Mn)As MTJにおけるスピン注入磁化反転」千葉大地、北智洋、松倉文_、大野英男（ERATO、東北大）
10:55-11:35	「スピントランジスタ」菅原聡（東大）
11:35-12:40	昼休み

座長：大嶋則和（NEC）

12:40-13:20	「スピン偏極電流による磁化不安定性のシミュレーション解析」仲谷栄伸（電通大）
13:20-14:00	「スピン流を用いた磁化状態操作」大谷義近、木村崇（東大、理研）
14:00-14:40	「スピン電流による磁壁移動と磁性細線デバイス」小野輝男、山口明啓、谷川博信、矢野邦明、葛西伸哉（京大）
14:40-15:00	休憩

座長　斉藤好昭（東芝）

15:00-15:40	「MgOバリアを用いたMTJにおけるスピン注入磁化反転」久保田均¹⁾、福島章雄¹⁾、湯浅新治¹⁾、大谷裕一¹⁾、安藤功兒¹⁾、前原大樹²⁾、恒川孝二²⁾、ジャヤプラウィラ・ダビッド²⁾、渡辺直樹²⁾、鈴木義茂³⁾　　（¹⁾産総研、²⁾アネルバ、³⁾大阪大）
15:40-16:20	「スピン注入磁化反転素子の高周波特性」鈴木義茂^1,2)、Tulapurlar Ashwin²⁾、水口将輝¹⁾、久保田均²⁾、福島章雄²⁾、湯浅新治²⁾、前原大樹³⁾、恒川孝二³⁾、ジャヤプラウィラ・ダビッド³⁾、渡辺直樹³⁾ ( ¹⁾大阪大、²⁾産総研、³⁾アネルバ）
16:20-17:00	「混載メモリをめざしたＭＲＡＭのインテグレーション技術」永原聖万（NEC）
17:00-17:40	「実用化段階に入ったTMRヘッド技術とその次世代技術」加々美健朗、猿木俊司、稲毛健治、桑島哲哉(TDK)

当学会では、研究会でのビデオ・写真撮影及び録音は遠慮いただいております。