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| 「スピンバルブGMRをささえる反強磁性薄膜-理想的な反強磁性薄膜を生み出すために- 」
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日 時：平成 9 年 3 月 7 日（金）
場 所：機械振興会館 地下 3 階研修室 (東京港区芝公園3-5-8，TEL 03-3434-8216)
協賛：物理学会、応用物理学会、電気学会、金属学会（予定）
資料代：1,000 円（会員、賛助会員、学生） 2,500 円（非会員）
オーガナイザー：荒木悟(ＴＤＫ)、高梨弘毅（東北大）、新庄輝也（京都大）、榊間博（松下電器）
「反強磁性」は磁性の教科書ではおなじみですが、実際の材料としてはあまり応用された例はありませんでした。しかしながら近年、強磁性−反強磁性層の直接交換結合による強磁性スピンのピンニング現象がスピンバルブGMR膜として応用されて以来、ハードディスクの高密度化のためのキーテクノロジーとして広く注目を集めるようになりました。このスピンバルブでは特に反強磁性によるピンニングがGMR発現の本質といえます。この反強磁性薄膜としてはFeMnが広く知られておりますが、まだ様々な問題等が残されており、決定的な組成系が見いだされていないのが現状です。また、強磁性−反強磁性層の交換結合もよく理解されていないのではないでしょうか？
この研究会では、これら反強磁性現象を再度基礎的な観点から見直し、今後の新材料開発のための指針とします。また、現在提案されている新しい反強磁性薄膜の組成系について、それぞれの特徴や問題点等についての議論を通して、反強磁性材料についての深い理解を目的とします。
プログラム：
１．基礎的アプローチ 座長：高梨弘毅（東北大）
10:00〜10:50 反強磁性の物理−古くて新しい現象− 井上順一郎（名大）
10:50〜11:40 反強磁性体の物性の基礎と応用の接点 深道和明（東北大）
11:40〜12:30 強磁性/反強磁性結合に及ぼす結晶粒径の影響及びそのモデリング
西岡浩一（日立）、Chunnghong Hou, Hideo Fujiwara, and
Robert D.Metzger (Univ. of Alabama)
昼食 (12:30〜13:40)
２．現状のレビュー 座長：荒木悟（ＴＤＫ）
13:40〜14:40 スピンバルブ膜に用いられている反強磁性薄膜の現状
神保睦子（大同工大）、丸山 功、林 孝雄、綱島 滋（名大）
休憩 (14:40〜15:00)
３．ワークショップ 座長：榊間博（松下電器）
15:00〜16:40 テーマ：「理想的反強磁性薄膜の条件と現状」
パネリスト：荒木悟（ＴＤＫ）、岩崎仁志（東芝）、滝口雅史（ソニー）、
田中厚志（富士通）、中田正文（日本電気）、
長谷川直也（アルプス）、星屋裕之（日立）
なお当学会では、研究会でのビデオ・写真撮影及び録音はご遠慮いただいております。
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