この研究会は，現代のエレクトロニクスを支えてきた半導体 と磁性体の複合化について，「電荷」と「スピン」の両性質を同 時に利用するためのアプローチとその機能性の面から企画さ れ，磁性体−半導体ハイブリッドの現状と今後の発展性につい て，磁性体と半導体の複合化, 半導体スピン工学，希薄磁性半 導体の新展開といった観点から，この分野で活躍されている研究者に講演をお願いした．講演題目と講演者は以下の通りである．

1.は，この研究会を概観した講演で，電子デバイスと光デバ イスを担ってきた半尊体に，記憶デバイスを担ってきた磁性体 (スピン)の機能を付加して, 半導体エレクトロニクスの領域を 拡大する可能性について述べられた．また，この講演では, 磁 性体-半母体ハイプリツドの種々の応用の可能性が紹介され， これらがなす将釆像が示された．
2.では，半導体工ピタキシャ ル成長技術の観点から，GaAs半導基坂上へのMnGa,MnAs 強磁性体薄膜成長について講演された．異なる性質をもつ物質 のへテロ・エピタキシャル成長の難しさと，材料をうまく選択 することにより，半導体並のへテロ界面をもつ成長が可能であ ることが示された．
3.では，磁性体-半虫体人工格子薄膜での 磁気交換結合について，Fe/Si,Fe/FeSi,Co/Si系の実験結果 が報告された．)磁性体-半導体人工格子薄膜は，金属人工格子 と異なる磁気交換結合の振る舞いを示し，この交換結合が, 半 導体層のキャリアの制御によって，制御できる可能性が示され た．今後，2.の講演で紹介された半導体超格子並の人工格子薄 膜の作製が，この研究の鍵となることが示唆される．
4.では， sp-d 交換相互作用を通じて，半導体的側面のキャリア密度を制 御することにより，磁性スピンの制御，すなわち磁気特性を制 御できる実例を，希薄磁性半生体lnMnAs系で示され，電界 電流，光によって，半専体の性質と同様に，磁性を制御する応 用について講演された．
5.では，第一原理からの計算により， 半導体中の磁性イオンの電子状態に，sp-d混成による多重荷電 状態や交換相関互作用による負の電子相関が現れることが説明 された．また, 磁性イオンを含む半導体量子ドットを形成して， sp 電子の局在の度合いを重子ドットの寸法で制御することに より，sp-d 混成の変化を通じて，電荷とスピンの状態を制御す ることが示された．このことは，ナノ量子構造における新物質 の実現が期待され, 非常に興味深い講演であった．
6.では，希 薄磁性半導体の超格子・微粒子構造の磁気光物性の実験結果に ついて講演され，希薄磁性半導体のナノ量子構造を制御するこ とにより，sp-d交換相互作用の増大が期待できることが示され た．この結果は，sp電子を制御してsp-d交換相互作用を制御 する 5.の講演と対応しており，これまで材料に依存していた sp-d交換相互作用を人工的に制御できる可能性を示している ものと思われる．
7.では, この研究で唯一応用されている CdMnHgTe系光アイソレータについて，その結晶成長と特性 について講演された．光通信におけるErドープ・ファイバー アンプ励起光源用の光アイソレータの重要性と，その材料とし てCdMnHgTeが最も適していることが示された．また，この 材料の商品化において，均一な結晶成長が課題であることが紹 介された．

この研究会では，7.の講演でのCdMnHgTe以外には商品化 されておらず，磁性体−半導体ハイブリッドの新しい物理現象, 新機能の紹介が主であったが，予想外に企業からの参加者か多 く，討論では半導体サイドと磁性体サイドの研究者間で活発な 意見交換がなされた．そういった意味では, この研究会は, 磁 性体と半導体の専門家の出会いとして格好の場を提供し, 研究 会のテーマである磁性体-半導体ハイブリッドが実際の研究 テーマとしてだけではなく，研究会としても磁性体と半導体の 研究者のハイブリッドをなした研究会となった．オーガナイ ザーのー人として, この研究会がきっかけとなって，この分野 がさらに進展することを期待する．