「第8回磁性人工構造膜の物性と機能専門研究会」のお知らせ

テーマ：スピントロニクスの現状と将来　−最新トピックスからMRAMまで−
日時：2001年6月1日(金) 13:00〜17:10
場所：松下電器 松心会館 (京阪電鉄 門真市駅下車 徒歩5分)
参加費：無料
プログラム
13:00〜13:40　半導体ベースの超高感度磁気抵抗素子を目指して
　秋永広幸(アトムテクノロジー研究体/産業技術総合研究所)
13:40〜14:20　強磁性半導体ヘテロ構造」
　大野英男(東北大学 電気通信研究所)
14:20〜15:00　第一原理計算による半導体ナノスピントロニクス材料の
　　　　　　　マテリアルデザイン：予言と実験
　吉田博(阪大 産研量子物性)
15:00〜15:10　休憩　
15:10〜15:50　Magnetic tunneling junctions with low resistance
　　　　　　　and high TMR
　Jijun Sun, T.Uesugi, S.Araki, M.Matsuzaki
　(Data Storage Technology Center, TDK Corp.)
15:50〜16:30　TMR素子の磁化反転磁界抑制の可能性について
　平本雅祥，松川望，里見三男，杉田康成，小田川明弘，足立秀明，榊間博*
　(松下電器産業 先端技術研究所，*中尾研究所)
16：30〜17：10　不揮発性メモリとしてのMRAMへの期待
　高田裕(三菱電機　先端技術総合研究所)
オーガナイザ：榊間博(松下電器)，伊藤顕知(日立)，深見達也(三菱電機)
お問い合わせ：深見　E-mail: fukami@med.edl.melco.co.jp
　　　　　　　　　　TEL: 06-6497-7511

＜会場案内図＞