日時：2000年1月21日（金）10：00 - 16：50
場所：日本大学理工学部駿河台校舎１号館２階第２会議室
電話番号:03-3259-0525（中央線御茶ノ水駅、徒歩3分）
オーガナイザー：荒木悟（TDK）、伊藤彰義（日大）、猪俣浩一郎（東芝）、片山利
一（東邦大）、榊間博（松下）、鈴木良夫（日立）、深見達也（三菱電機）

講演内容
1.　10：00 -10：55 (45分講演+ 10分討論)
「磁性積層膜のホットエレクトロン伝導−バリスティック電子のGMR効果」
水島公一、金野晃之、山内尚、佐藤利江（東芝研究開発センター）
2.　10：55 - 11：50 (45分講演+ 10分討論)
「界面電子状態、スピン分極率およびＴＭＲ」
井上順一郎、伊藤博介（名大工学研究科）

昼休み；11：50 - 13：20 

3.　13：20 - 14：10(40分講演+ 10分討論)
「単結晶強磁性層を用いた強磁性トンネル接合」
湯浅新治、佐藤俊彦*、鈴木義茂、田村英一*、安藤功兒、片山利一**
（電総研、*JRCAT-ATP、**東邦大薬）

4.　14：10 - 15：00
「TMR素子の局所伝導特性と磁気抵抗効果(40分講演+ 10分討論)
安藤康夫，林将光，亀田博史，久保田均，宮崎照宣（東北大工学研究科）

休憩；15：00 - 15：15

5.　15：15 - 16：05(40分講演+ 10分討論)
「TMR素子を用いたMRAMセルの基礎評価」
三浦貞彦（講演者）、沼田秀昭、田原修一（NEC基礎研究所）
6.　16：05 - 16：50(35分講演+ 10分討論)
「強磁性体／圧電体複合構造を用いた磁化反転制御　-ＭＲＡＭ応用の可能性-
大谷　義近、Valentyn Novosad、大澤　敦、深道　和明（東北大工学研究科）

＜会場案内図＞