| 日時： | １９９８年１０月２３日（金） １３：００〜１７：００ |
| 場所： | 三菱電機ビル９Ｆ会議室（千代田区丸の内２−２−３東京駅丸の内南口より西へ徒歩３分） |
| 講演題目： |
「微小磁性体の作成、磁性と伝導性」 「超微細磁性ドットアレーの作成技術と磁気特性」 「ＧＭＲ材料の微細修飾」 |
プログラム １．１３：００〜１３：３０ トンネル型磁気抵抗効果の理論 井上順一郎 （名古屋大学） ２．１３：３０〜１４：００ スピントンネル磁気抵抗効果：ＴＭＲの温度変化を 中心に 宮崎照宣，大兼幹彦，手束展規，久保田均， 村井純一郎，安藤康夫 （東北大学） ３．１４：００〜１４：２５ プラズマ酸化法によるスピンバルブ型トンネル接合 菊池英幸，佐藤雅重，小林和雄（富士通） ４．１４：２５〜１４：５０ ＩｒＭｎ反強磁性体を用いたＳＶ型ＴＭＲ素子の作製 菅原淳一，中塩栄治，熊谷静似， 池田義人（ソニ−）, 宮崎照宣（東北大） １４：５０〜１５：１５ 休憩 ５．１５：１５〜１５：４０ フォトリソグラフィで作製したＴＭＲ素子における絶縁 障壁高さと磁気抵抗 中谷亮一，竹内輝明，清水昇（日立） ６．１５：４０〜１６：０５ 低抵抗スピントンネル素子 柘植久尚，松田和博，三塚勉，上條敦（ＮＥＣ） ７．１６：０５〜１６：３０ 強磁性２重トンネル接合のＴＭＲ 斎藤好昭，猪俣浩一郎 （東芝） ８．１６：３０〜１６：５５ トンネル接合ＧＭＲに及ぼす非磁性金属中間層の効果 山中英明、斉藤今朝美*、高梨弘毅*、藤森啓安* （リードライトSMI、*東北大金研） ９．１６：５５〜１７：１５ 強磁性トンネル接合の作製法と評価 山崎篤志（住友金属） 担当世話人： 猪俣浩一郎（東芝）、深見達也（三菱電機） 申込先：今回の研究会は都合により事前申し込み制とさせていただきます。 聴講ご希望の方は、１０／２０（火）までに下記までお申し込み下さい。 三菱電機 深見 e-mail: fukami@med.edl.melco.co.jp tel: 06-497-7511 fax: 06-497-7295 │ │ │ │ ┐ ┐ │丸 │ │ └──┘ └┐東京駅 ───┘の └──────┘ └┐丸の内 内 └┐南口 ┏━━┓仲 ┌──┐┌──┐ ┌───┐ └┐ ┃ ┃通 │ ││ │ │ └┐ └┐ ┃三菱┃り │三菱││三菱│ │ └┐ └┐ ┃ ┃ │ ││ │ │ └┐ │ ┃電機┃ │重工││ビル│ │中央郵便局 └┐ │ ┃ ┃ │ ││ │ │ │ │ ┃ビル┃ │ビル││ │ │ │ │ ┃ ┃ │ ││ │ └───────┘ │ ┗━━┛ └──┘└──┘