第30回「磁性多層膜の新しい機能」専門研究会
日時：
１９９８年２月５日
場所：
銀座リビングプラザ（東京）
参加者：
15名
講演題目：
「ＧＭＲによる磁性細線の磁化過程」
新庄輝也，重藤訓志（京大化研），小野輝男（慶応大）
「Fe超薄膜の電気伝導」
湯浅新治（電総研）
「強磁性単電子素子の電気伝導」
大野圭司，島田宏，大塚洋一（東大低温センター）
「異常分散効果利用X線反射率法によるＧＭＲ膜層構造解析」
平野辰巳（日立）
今回は，基礎的な話題を中心に研究会が行われた。
新庄氏は，多層ＧＭＲ膜において階段状に加工した基板を用いることによって，比較的容易にＣＰＰ配置（電流が膜面に垂直）のＧＭＲ効果に関する情報が得られることを紹介した。また，微細な磁性体における磁化過程に対するプローブとして，ＧＭＲ効果が有効であることを示した。
湯浅氏は，FeとAuのエピタキシャル積層膜において，量子井戸準位を反映した膜厚に対する振動が，Kerr効果とHall効果の両方において観測されたことを報告した。また，Au/Fe/Auのように磁性層が単一の場合にも，ＧＭＲ現象が見られるという，興味深い実験結果を紹介した。
大野氏は，Co/絶縁体/Ni/絶縁体/Coのような強磁性体を電極として用いたトンネル効果素子において，中央の島状のNiの部分にある電子の個数に対応して，伝導特性がゲート電圧や印加磁界に対して周期的に変化すること（クーロン・ブロッケイド）を報告した。このように，電子が一個一個数えられるものとして測定にかかるということは，新鮮な印象を与えた。
平野氏は，小角Ｘ線回折にてＧＭＲ積層膜の層厚を決定するにあたって，通常の Cu-Kα線のかわりに，Cu-Kβ線やCo-Kβ線を用いることにより，従来分離の難しかったCo,NiFe,Cuの層が精度良く分離できることを示した。これは，吸収端付近の原子散乱因子の異常を活用したものであり，これにより，スピンバルブの構造や劣化がより高精度に測定可能となった。
（日立 鈴木良夫）