日 時:	平成7年10月 19日(木)14:00-17:00
会 場:	日本大学理工学部駿河台校舎1号館2階 第2会議室
参加者:	29名

今回は磁性多層膜を用いた光磁気ディスクとして，以下の3 件の発表をお願いした．

1.	面内磁化膜を用いた磁気超解像媒体
	岡田 健，広木知之，西村直樹(キャノン)
2.	新しい記録補償技術を用いたMSR高密度記録
	管野正喜(ソニー)
3.	PWM記録光変調ダイレクトオーバーライト光磁気ディスクメモリ
	石井浩一郎(ニコン)

岡田氏の発表したCADと呼ばれる磁気超解像(MSR)は・ダ プルマスクにより線密度とトラック密度の両方の向上を狙った ものであった．多層膜の結合方法として，静磁結合タイプと交 換結合タイプを比較検討し，静磁結合タイプは再生時の磁界 マージンが狭いものの，クロストーク特性が良いことが示され た．
管野氏は，MSR-FADメディアにビット長が 0.27um の高 密度光変調記録を行うための記録の工夫を発表した．ランダム データのマーク長とスペース長の組み合わせ別にジッターを解 析する手法の説明と，2Tマークと3T以上のマークを独立に 制御する新しい記録補償回路を紹介し，記録パヮーマージンが 拡がったことを報告した．
石井氏は第1世代の光磁気ディスクの3倍容量の光変調 オーバーライトデイスクについて，磁性6層膜を用いているが 膿特性の制御は十分可能で，記録バワーマージン ±15%が得 られていることを報告した．680 nm レーザを用いれば4倍容 量にも対応できるとこことで，商品化しベルに達した技術とし ての発表であった．
それぞれの発表に対し，磁性多層膜の光磁気ディスクへの応 用について，活発な意見交換が行われた．