第３６回光スピニクス専門研究会
| いま、ZnOが新しい磁性半導体の創製、紫外レーザー発振材料への応用、 などの観点から注目されています。ZnO薄膜の新しい製法として（１）形態や 方位を容易に制限して、ドット構造も可能な、“光アシスト・ウェットプロセス”、 および（２）多種類の組成や構造をもった試料を目的に作製できる“コンビナ トリアル・ＰＬＤ”法を開発しておられるお二人の講演者に膜作製法と、応用の 展望を語っていただきます。 多数の皆様のご参加をお待ちしております。 |
| 日 時: | ２０００年１１月２８日（火） １３：３０〜１７：００ | |
| 場 所: | 東京工業大学 （大岡山）百年記念館 第一会議室 | （大井町線・目蒲線 大岡山下車 徒歩１分） |
| 参加費: | 無料 |
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-----------連絡先------------
東京工業大学 電子物理工学専攻 阿部正紀 TEL:03-5734-3039, FAX:03-5734-2906 E-mail: amasanor@pe.titech.ac.jp |
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13:30-14:30 「配向ＺｎＯ膜の光アシスト・ウェットプロセス製法」
伊崎昌伸氏（大阪市立工業研究所）
14:30-14:45 休憩
14:45-15:45 「コンビナトリアル・レーザーアブレーション法によるＺｎＯ磁性半導体の探索」
福村知昭氏（東工大・物質科学創造専攻）
15:45-16:15 全体討論