28.02

分野:

スピンエレクトロニクス

出典:

フリースケール　プレスリリース
http://www.freescale.co.jp/media/news2006/0712_4Mbit_MRAM.html

タイトル:

フリースケール社、４MビットMRAMを世界で初めて商用化

概要:

　フリースケール・セミコンダクタ・インクは、7月10日、世界で初めてMRAMの量産を開始した。容量は４Mビット、トグルスイッチング書き込み方式を採用している。究極のメモリーと呼ばれ期待されていたMRAMがようやく市場に出回る。今後の市場での反応がこの分野での研究開発にとって注目される。

本文:

　フリースケール・セミコンダクタ・インクは、7月10日、世界で初めてMRAMの量産を開始した。容量は４Mビット、非磁性層を介した反強磁性結合を利用したシンセティックフリー層を用い、トグルスイッチング書き込み方式を採用している。読出し/書き込みサイクル時間は35nsec、動作周波数は30MHz以下である。

　究極のメモリーとして言われ続けてきたMRAMの特徴としては、書き換え回数無限大、SRAMなみの高速動作、DRAMなみの大容量、高温動作、不揮発性、であったが、今回製品化されたMRAMがこの究極のメモリーであるとはまだまだ言い難い。磁性研究に関わるものにとって、さらなるMRAMの進展、「究極のメモリー」としてのMRAM開発が期待されている。 

（東芝　甲斐正）